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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅器件工藝難點(diǎn)在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測(cè)試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價(jià)格也很便宜國產(chǎn)的大約400-500萬一臺(tái)（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價(jià)格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺(tái)，而且產(chǎn)能很低，一臺(tái)爐子一個(gè)月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國外
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點(diǎn)是簡單，可靠，成本可控。CVD對(duì)設(shè)備要求太高，價(jià)格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì)用這個(gè)方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時(shí)間積累，日本公司不少專注于這個(gè)路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時(shí)只有2cm左右的厚度，實(shí)在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe
- 碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價(jià)格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了
- 碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀(jì)60年代開始發(fā)展起來的一種先進(jìn)陶瓷材料，由于具備化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機(jī)械強(qiáng)度高、耐化學(xué)腐蝕等特性，在精細(xì)化工、半導(dǎo)體、冶金、國防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細(xì)研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時(shí)容量不衰減，因此“超
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對(duì)材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學(xué)性能要求。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達(dá)到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學(xué)部件性能要求。 采用反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基體結(jié)合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅(qū)體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應(yīng)氣體配比、氣體流場、溫度場等關(guān)鍵工藝參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大面積、均勻CVDSi
