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- onsemi捷克工廠將在未來兩年內(nèi)擴大碳化硅晶圓產(chǎn)能16倍[ 09-27 17:00 ]
- 9月21日，美國半導體供應商onsemi（安森美）宣布，其在捷克Ro?nov擴建的碳化硅工廠建成，未來兩年內(nèi)，該工廠的碳化硅晶圓和外延生產(chǎn)能力將擴大16倍。 從2019年開始，onsemi將SiC拋光晶圓和SiC外延(EPI)晶圓生產(chǎn)添加到其在Roznov現(xiàn)有的硅拋光和外延晶圓和模具制造中。去年開始重建新廠房，以進一步擴大晶圓和SiC外延制造。到目前為止，onsemi已在Roznov基地投資超過1.5億美元，并計劃追加投資3億美元。 onsemi表示，碳化硅對于提高電動汽車(EV)、電動汽車充電和能源基
- AMB陶瓷基板市場潛力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 據(jù)了解，目前在AMB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（RogersCorporation）、賀利氏科技集團，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會社（NGK）、電化株式會社（Denka）、京瓷株式會社（KYOCERACorporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新機遇，部分國際企業(yè)已在計劃對AMB基板進行擴產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開設(shè)大分工廠，開始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴大德國埃申巴赫工廠AMB基板產(chǎn)能。
- AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯[ 09-24 17:52 ]
- 據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應用有明顯的提升效果。 不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術(shù)目前的實現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認為是Si
- 碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導體技術(shù)全球領(lǐng)導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產(chǎn)；二期預計投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標是使Wolfspeed達到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動的電機。L
