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    SiC模塊可提升電動汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]
    碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處,有更高的擊穿場強,也就是耐高壓,即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流,能減少設(shè)備電阻的損耗。 對電機設(shè)計來說,也更容易在小體積下實現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢外,碳化硅還有兩大優(yōu)勢,一個是飽和電子速度更高,一個是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快,也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍,因此在設(shè)備設(shè)計時,匹配的電流強度更容易遠離設(shè)備的飽和電流,也就能實現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。
    「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]
     
    蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]
    近年來,新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進一步提升車輛的經(jīng)濟性。為此,全球汽車行業(yè)已向碳化硅(SiC)制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元,皆因業(yè)界認為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。 近期,安森美(onsemi)宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來(NIOInc.)為其下一代電動車(EV)選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠、能效更高,加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進程,為市場帶來配備先進半導(dǎo)體材料的電動車。 據(jù)悉,
    氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
    氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品,20世紀(jì)70年代被廣泛應(yīng)用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè),上世紀(jì)80年代我國將該材料進行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近,當(dāng)柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結(jié),產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大,可以與碳化硅材料復(fù)合改善脆性,提升斷裂韌性;而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復(fù)合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料莫氏硬度為9左右,僅次于金剛石;常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以
    Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底,拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]
    據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標(biāo)志著Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上,其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進試驗線,該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會在關(guān)鍵客戶中進行首輪驗證,展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月
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