碳化硅功率器件相關標準立項通過[ 03-18 15:54 ]

據(jù)中國粉體網訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著半導體技術的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應用的技術。等離子體刻蝕產生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心

山西爍科晶體成功實現(xiàn)8英寸碳化硅晶體小批量量產[ 03-05 13:34 ]

近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡稱爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產。 由于碳化硅對溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問題。 爍科公司專業(yè)深耕碳化硅材料領域，經過刻苦攻關，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產N型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一

晶盛機電年產40萬片碳化硅襯底晶片生產項目3月開工[ 03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設的“碳化硅襯底晶片生產項目”落戶寧夏銀川。其中，一期預計3月開工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產后預計年產6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開展業(yè)務，具備全球最大的700Kg藍寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產基地項目和年產80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目的公告披露，晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗

中國電子科技集團公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]

近日，據(jù)中國日報報道，中國電子科技集團公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，電科二所將全力以赴推進實驗室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設。 2021年9月，中國電科二所承擔山西太原某實驗室6英寸SiC芯片整線系統(tǒng)集成項目，該項目要求4個月內完成整線設備評估、選型、采購、安裝、調試，并研制出第一片芯片。電科二所調動資源力量，在SiC激光剝離設備研制上取得突破性進展，先后完成單機設備調試、碳化硅SBD整線工藝調試。 碳化硅硬度極高，傳統(tǒng)襯底加工工藝切割速度慢，晶體與切割