一張圖：碳化硅這樣提純，能行嗎？[ 07-15 15:40 ]

 

碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術優(yōu)點[ 06-09 16:47 ]

碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術具有如下優(yōu)點： 1、可現(xiàn)場施工，而且施工方法簡單，易于造形，厚度可控制，因此適用范圍廣泛。 2、高附著力，涂層可靠性高，使用壽命長。 3、涂層硬度高，7H左右，致密耐磨，表面光滑，可打磨加工。 4、有多種防護功效，應用范圍相當廣泛。既用于各種裝備構件的防護（密封防滲漏，抗磨，防腐，電絕緣），也可用于各種結構件的修理，達到修舊利廢的目的。 5、涂層有一定的自潤滑功能，摩擦系數(shù)相對較低，越磨越光滑，耐磨性能良好。 6、涂層本身不燃，具有良好的阻燃功效。

氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]

氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀70年代被廣泛應用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀80年代我國將該材料進行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結，產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以

在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]

與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)模化生長SiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點： 1、生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來了極高的要求，生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英

一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]