碳化硅的化學屬性
小編今天給大家介紹一下碳化硅的化學屬性，讓您知道我們山東金蒙新材料股份有限生產(chǎn)的碳化硅到底是啥。
1：抗化合性：碳化硅材料在氧氣中反應(yīng)溫度達到1300℃時，在其碳化硅晶體表層已經(jīng)生成二氧化硅保護層。隨著保護層的加厚，抵制了里面碳化硅繼續(xù)被化合，這使碳化硅有較好的抗化合性。當氣溫達到1900K(1627℃)以上時，二氧化硅保護膜已經(jīng)被破壞，碳化硅化合效應(yīng)加重，從而1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。
2：耐酸堿性：在耐酸、堿及化合物的效用方面，因為二氧化硅保護膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常強，抗堿性稍差。
物理性能
密度：各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分相近，通常情況下，應(yīng)該是3.20 g/mm³，其碳化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/mm³之間，其高矮取決于其粒度號、粒度合成和顆粒形狀的大小。
硬度： 碳化硅的硬度為：莫氏9.5級。單晶硅的硬度為：莫氏7級。多晶硅的硬度為：莫氏7級。都是硬度相對較高的物料。努普硬度為2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
導熱率：碳化硅制品的導熱率非常高，熱膨脹參數(shù)小，抗熱震性非常高，是優(yōu)質(zhì)的耐火材料。
電學屬性
恒溫下工業(yè)碳化硅是一種半導體，屬雜質(zhì)導電性。高純度碳化硅隨著氣溫的升高內(nèi)阻率降低，含雜質(zhì)碳化硅按照其含雜質(zhì)不一樣，導電性能也不一樣。
其它屬性
親水性好。
眾所周知, SiC是共價鍵很強的化合物。按照Pauling對電負性的計算, SiC 中Si一C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC 的硬度高、彈性模量大, 具有優(yōu)良的耐磨損性能。值得指出的是, SiC氧化時, 表面形成的二氧化硅層會抑制氧的進一步擴散, 因而, 其氧化速率并不高。在電性能方面, SiC具有半導體特性, 少量雜質(zhì)的引入會使其表現(xiàn)出良好的導電性：此外,SiC 還具有優(yōu)良的導熱性。
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