碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進(jìn)行切割，切割難度大，保證切割過程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。

為了達(dá)到下游外延開盒即用的質(zhì)量水平，需要對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達(dá)到嚴(yán)苛的金屬、顆粒控制要求。

化學(xué)機(jī)械拋光屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層相對(duì)容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層，在化學(xué)作用和機(jī)械作用的交替進(jìn)行的過程中完成表面拋光，過程較為復(fù)雜。